| ブランド | Ixys Corporation |
| 商品名 | IXYX120N120C3 |
| 説明 | IGBT トランジスタディスク |
| 内部コード | IMP4526924 |
Ixys Corporation - IXYX120N120C3 IGBT トランジスタディスク の価格と納期については、電子メールでお問い合わせください。 その他の型番についてもご相談に応じます。 当社はドイツの産業市場でお客様にとって最良の価格と納期を見つけるよう努めています。
当社は新品およびオリジナル製品のみを販売しています。
ダイオード
diode
DIODE
ダイオード
ショットキーダイオード
ダイオード
サイリスタモジュール
MOQ = 20
シングルブレークオーバーダイオード
ブレークオーバーダイオード
MOQ = 20
(1 pack = 20 pcs.)
MOQ=20
（MOSFET N-CH 300V 130A SOT-227B IXYS）
GigaMOSTMパワーMOSFET
ディスクリート半導体モジュール
transistor
V1 (サイリスタモジュールキット 400A/600V)
thyristor module
サイリスタモジュール
Thyristor module
255 アンペア 1400V ディスクリート半導体モジュール
サイリスタモジュール