| ブランド | Infineon |
| 商品名 | BSM10GD120DN2 |
| 説明 | トランジスタ |
| 内部コード | IMP532962 |
| 重量 | 1 |
| 技術仕様 | 構成:フルブリッジ マックス。VCEO コレクター-エミッター間電圧:1200 V コレクター-エミッター飽和電圧:2.7 V 25℃での直流コレクタ:15A ドア・エミッタ間漏れ電流:120 nA Dp-消費電力:80 W パッケージ/カバー:エコノパック 2 最低作業温度:-40 C 最高使用温度:摂氏150度 包装:トレイ ブランド:インフィニオンテクノロジーズ 高さ:17 ミリメートル 長さ:107.5 ミリメートル 最大ゲート・エミッタ間電圧:20 V 取り付けスタイル:シャーシマウント 製品タイプ:IGBT モジュール サブカテゴリ:IGBT テクノロジー:はい 幅:45.5 ミリメートル 別名パーツ番号:SP000100367 BSM10GD120DN2BOSA1 単位重量:180 グラム |
Infineon - BSM10GD120DN2 トランジスタ の価格と納期については、電子メールでお問い合わせください。 その他の型番についてもご相談に応じます。 当社はドイツの産業市場でお客様にとって最良の価格と納期を見つけるよう努めています。
当社は新品およびオリジナル製品のみを販売しています。
電源スイッチ
電源スイッチ
素子
モジュール
IGBT シリコンモジュール
チョッパーIGBT付きダイオードモジュール
IGBT シリコンモジュール
IGBTモジュール
パッケージ情報**：PG-TO262-3チューブ
ダイオード
IGBT
IGBT
トランジスタ
モジュール
ディスクリート半導体モジュール