ブランド | Infineon |
商品名 | FF200R12KT4 |
説明 | IGBT モジュール |
内部コード | YUS4751131 |
技術仕様 | 構成:デュアル コレクター-エミッター間電圧 (VCEO) 最大:1200 V コレクター-エミッター飽和電圧:1.75 V 25 C での連続コレクタ電流:320 A ゲート・エミッタ間漏れ電流:400 nA パッド-消費電力:1100ワット |
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FF200R12KT4 の主な特徴:
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ダイオード
アイス・ドライバー
IGBT-Module 1200V 50A FL BRIDGE
641-DDB6U145N16L MFR. #:DDB6U145N16L
ディスクリート半導体モジュール1600V 145A UN-CNTL
IGBTモジュール
641-FP15R12YT3 MFR. #:FP15R12YT3
IGTB MODULE
素子
サイリスタMETHOD
スーパーエアノズル
スーパーエアノズル
デュアルIGBT
IGBT / 100A
IGBTモジュール
バイポーラトランジスタ
IGBT / 150A
モジュール